據國外媒體報道,惠普研發(fā)人員已經在“憶阻器”下一代內存技術方面取得了小的突破,一些人認為它可能會替代當今普遍應用的閃存和DRAM技術。
惠普研發(fā)人員在周一《納米技術》雜志中提到,他們已經掌握了電氣操作過程中“憶阻器”內部發(fā)生變化時的基本化學性質和結構。
惠普高級研究員Stan Williams說,在此前,盡管工作的憶阻器已在實驗室制成,但是研發(fā)人員并不清楚在微小結構內部發(fā)生了什么。當惠普有信心可以將此項技術商業(yè)化時,這一發(fā)現將極大地提高計算機和內存的性能。
憶阻器最先是由加州大學一個教授提出來的。在此之前,研究人員只知道3個基本電路原件--電阻器,電容器和電感器。幾十年后,惠普的研發(fā)人員證明了憶阻器是真實存在的,并進一步證明其可以在2個或2個以上電阻之間來回切換,這將使得在數字運算時,他們可以代表1或0.有憶阻器的內存類型叫做ReRAM,具有非易失性的特點。這意味著在電源關閉后設備可以保存這些數據。但對比DRAM,電源關閉后,存儲的數據會丟失。本文由服務器租用——海騰數據(http://lbzs888.com)提供。
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